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院士工作站:低功耗智能微納集成系統部
發布日期:2018-12-25

中心簡介

低功耗智能微納集成系統中心基于長期工作積累,圍繞集成電路發展中的功耗瓶頸問題,以根本性的工作原理和器件結構爲突破口,進行新型器件、電路及其微納集成系統方面的相關研究,爲超低功耗電路系統發展提供了新思路和解決途徑。中心相關系列成果在數屆國際電子器件會議(IEDM)上發表,並被列入國際半導體技術路線指南(ITRS),相關技術已轉移到中芯國際集成電路制造公司,在中芯國際生産線上推進研發,以期爲我國有自主知識産權的超低功耗集成電路技術發展奠定重要基礎。

科研團隊

主要研究項目

基于新型超陡擺幅器件的極低功耗微控制器芯片

項目團隊研制的新型超陡擺幅器件,突破了傳統CMOS器件60mV/dec的亞阈擺幅極限,獲得了比傳統CMOS器件低2個量級以上的關態電流性能,因此具備優越的低靜態功耗性能;基于標准CMOS工藝制備的該器件具有29mV/decade的亞阈值擺幅,是目前矽基隧穿晶體管國際報道的最低值。基于研制的新型超陡擺幅器件,項目團隊進行了面向物聯網應用極低功耗微控制器芯片的研究,提出了事件驅動型微控制器芯片架構,靜態功耗顯著優于傳統CMOS微控制器芯片,從而解決了物聯網節點對極低功耗的迫切需求,在物聯網應用領域具有廣泛的應用前景。